SLMi350新（xīn）品介绍

SLMi350采用DIP8GW封装，其峰值驱动电流能力达2.5A，通过采用（yòng）业界领先的双电容（róng）隔离技术和“OOK”传输技（jì）术，实现了（le）5kVrms的隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，并具有超过150kV/us的共（gòng）模瞬态抗（kàng）扰度（dù）（CMTI），保证了在极端恶劣工作环境下，可靠稳定地工作（zuò）。另（lìng）外，SLMi350可广泛应用（yòng）于电机驱（qū）动（dòng），不间断电源（UPS），EV充电（diàn），逆变器等领（lǐng）域。其封装为图1所示 DIP8GW，提供大于7.0mm的爬（pá）电和间隙距（jù）离（lí）。

图1. SLMi350封（fēng）装图

SLMi350的IGBT的（de）驱动（dòng）电路

提供互（hù）锁保护功能的SLMi350的IGBT驱动（dòng）电路如图2所示，由于同一（yī）桥臂上的两个IGBT的控制信号重叠或开（kāi）关器件本身延时过长等原因，使上（shàng）下两个IGBT直（zhí）通，桥臂（bì）短路（lù），此（cǐ）时电流的上升率和浪涌冲击 电（diàn）流都（dōu）很（hěn）大，极易损坏（huài）IGBT。由于SLMi350支持输入（rù）互（hù）锁保护功能，可（kě）有效防止（zhǐ）上下管的直通（tōng）问题，严格防（fáng）止了臂桥短（duǎn）路引起过（guò）流情况的出现。

图2. 提供互锁保护功能的SLMi350的IGBT驱动电路

SLMi350的（de）显著优势

通（tōng）过如图（tú）3所示的性能比较可以（yǐ）看出, SLMi350和市场上主流的国际大厂的光耦（ǒu）隔离驱动（dòng）或是电容隔（gé）离驱动（dòng）相（xiàng）比，优势极（jí）为显著（zhe）：

• 输入（rù）端抗负压能力更强；

• 输出（chū）端电压耐压范（fàn）围更宽；

• CMTI抗干扰（rǎo）能力更加出（chū）众（zhòng）；

• 工作（zuò）温（wēn）度更（gèng）宽。

图3. SLMi350的性能比较（jiào）

结论

目前，SLMi350已（yǐ）经在变频器（qì），逆变器，UPS，感应加（jiā）热（rè）等不（bú）同领域客户测试通过，现可进行大批量供应, 欢迎广大客户朋友到优乐园和数明官网进行（háng）样品或评估板（bǎn）的申请。