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SLM2001S

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申请（qǐng）

SLM2001S Datasheet

产品概（gài）述（shù）

产品特性（xìng）

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2001S是（shì）一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用专有的高压（yā）集成（chéng）电路和锁存（cún）免（miǎn）疫（yì）的CMOS技（jì）术可提供可靠的单芯片（piàn）驱动方（fāng）案。逻辑输入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有（yǒu）高脉冲（chōng）电（diàn）流（liú）缓冲级（jí），以减小驱动（dòng）器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压（yā）可高达200V。

产品特性

为自（zì）举（jǔ）操（cāo）作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入（rù）兼（jiān）容

驱动电流：290 mA/600 mA

防（fáng）止交叉导通逻（luó）辑

两通道间匹配传输延迟

输出信（xìn）号与输入信号同相

通过（guò）无铅认证（zhèng）