优乐园

SiLM2014A

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申（shēn）请

SiLM2014A_Datasheet

产（chǎn）品概（gài）述

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用图

产品概述（shù）

SiLM2014A 是一款高压（yā）、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用专有（yǒu）的高（gāo）压（yā）集成电路和锁存免疫的CMOS技（jì）术可提（tí）供（gòng）可靠的单芯片驱动方案。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级，以减小驱动器（qì）交叉导通。浮动通道可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟（gōu）道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作（zuò）设计的（de）浮动通道

完全（quán）运行（háng）时电压高达 200V

容许瞬（shùn）间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻（luó）辑输入（rù）兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻（luó）辑

两通（tōng）道间匹配传输延迟（chí）

输出信（xìn）号与输入信号同相

通过无（wú）铅认证