SiLM27512器（qì）件是单通道高速低（dī）边门（mén）极（jí）驱动器，可（kě）有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关（guān）。SiLM27512采（cǎi）用一（yī）种能（néng）够从内（nèi）部（bù）极大的降（jiàng）低直（zhí）通电流（liú）的设计，将高峰值的源（yuán）电流和灌电流脉（mò）冲提供给电容（róng）负载，以实现轨到轨的驱动能（néng）力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下，能够提供（gòng）4A的峰值（zhí）源电流和5A的峰值灌电流。
低成本的门极驱（qū）动方案可用（yòng）于（yú）替代 NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流（liú）和5A的峰（fēng）值灌电流能（néng）力
快（kuài）速的（de）传（chuán）输延（yán）时（典型值（zhí）为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型（xíng）值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压（yā）阈值
双输入（rù）设计(可选择反相（xiàng）或非反相驱动（dòng）配置)
输（shū）入浮（fú）空时输出（chū）保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封（fēng）装选（xuǎn）项
400 080 9938
